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英飞凌推出改进型第三代碳化硅肖特基二极管新产品
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摘要
率先推出碳化硅(SiC)肖特基二极管的功率半导体供应商英飞凌科技股份有限公司近日在应用电源电子大会暨展览会(APEC)上推出第三代thinQ!^TM SiC肖特基二极管。全新thinQ!二极管在任何额定电流条件下都具备业界最低的器件电容.可在高开关频率和轻负载条件下提升整个系统的效率,从而帮助降低电源转换系统成本。
出处
《电子元器件应用》
2009年第4期88-88,共1页
Electronic Component & Device Applications
关键词
肖特基二极管
碳化硅
第三代
改进型
产品
半导体供应商
转换系统
负载条件
分类号
TN311.7 [电子电信—物理电子学]
TQ174.758 [化学工程—陶瓷工业]
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.家电科技,2009(5):43-43.
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郭祥玉.
光电对抗中应用的电源[J]
.光电对抗与无源干扰,1998(2):34-40.
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英飞凌推出第三代SiC萧特基二极管[J]
.电子与电脑,2009(3):65-65.
8
赵斌,秦海鸿,马策宇,袁源,钟志远.
SiC功率器件的开关特性探究[J]
.电工电能新技术,2014,33(3):18-22.
被引量:25
9
郑欣,潘振国,秦明,陈妮.
SiC肖特基二极管在开关电源中的应用[J]
.长江大学学报(自科版)(上旬),2006,3(3):87-88.
10
邓志杰.
SiC肖特基二极管[J]
.现代材料动态,2002(9):8-8.
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