摘要
论述了CMOS集成电路ESD保护的必要性。接着介绍了CMOS集成电路ESD保护的各种设计技术,包括电流分流技术、电压箝位技术、电流均衡技术、ESD设计规则、ESD注入掩膜等,采用适当的ESD保护技术,1.2μm CMOS集成电路的ESD能力可以达到2000V。
The necessity of ESD protection for CMOS IC is discussed. The various design teeh - niques for CMOS IC' s ESD protection, such as current shunt, woltage clamp, current crowding prevention technology, design rules for ESD, ESD implant MASK technology, are presented, with the proper ESD protection technologies,the esd tolerance of 2000V are obtained for 1.2μm CMOS IC's.
出处
《微处理机》
2009年第1期20-21,共2页
Microprocessors
关键词
设计
应用
输入
Technology
Design
Input