摘要
针对CMOS反相器进行了电路级的抗总剂量辐射加固设计,对采用此电路结构反相器的抗总剂量辐射性能,利用电路模拟软件Pspice进行了模拟。模拟结果显示,采用该电路结构的反相器有很好的抗辐射性能。
A hardened circuit to total irradiation dose （TID） is designed for CMOS inverters. The TID performance of the inverter utilizing this structure is simulated under psipce, and the simulation results show that the hardened-design circuit improves the rad-tolerance of the inverter.
出处
《电子科技》
2009年第4期25-28,共4页
Electronic Science and Technology
基金
国家部委"十一五"预研资助项目
