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脉冲电源中高压硅堆保护的研究 被引量:8

Research of Protection for High Voltage Diode-stacks in Pulse Power Supply
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摘要 阐述了导致高压硅堆损坏的原因,并对其导通前后的电路特征和过渡过程进行了分析。根据二阶系统特性,提出采用缓冲电阻的方法来抑制工作放电中出现的冲击电压和冲击电流,防止硅堆损坏。由于缓冲电阻增大了系统的阻尼比,因此有效地抑制了系统振荡,保护了硅堆。同时,仿真和实验验证了高压硅堆损坏原因分析的正确性。 The reasons which result in the damage of the high voltage diode-stacks in pulse power supply are analyzed, and then the crowbar circuits and its transient process are also discussed.In order to protect the high voltage diode-stacks, the resistors are applied to augment the damping ratio of the second-order system.The suppression measures for surge current and voltage are put forward based on the characteristics of second-order system.Lastly,the validity of the reasons is testified by simulation and experiment.
机构地区 南京理工大学
出处 《电力电子技术》 CSCD 北大核心 2009年第4期47-49,共3页 Power Electronics
关键词 电源 脉冲 保护/高压硅堆 power supply pulse protection / high voltage diode-stacks
  • 相关文献

参考文献4

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  • 2秦实宏,刘克富,李劲,潘垣.高储能密度脉冲电容器保护的研究[J].高电压技术,2004,30(12):40-41. 被引量:7
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  • 4王兆安 黄俊.电力电子技术[M].北京:机械工业出版社,2002..

二级参考文献1

  • 1David L Smith, J Michael Wilson. FANTM: The first article NIF test module for the laser power conditioning system[C]. 12th IEEE Pulsed Power Conference. Monterey, California, USA, 1999.

共引文献98

同被引文献55

引证文献8

二级引证文献33

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