摘要
O434．22 2006065271 Pt/CdS Schottky势垒紫外探测器的研制=Development of Pt/CdS Schottky barrier ultraviolet detectors[刊,中]/秦强(昆明物理研究所．云南,昆明(650223))。朱惜辰…//红外技术．—2006,28(4),—234-237介绍了Pt/CdS金属半导体接触Schottky势垒形成及In/CdS的欧姆接触工艺研究,由此制成了紫外探测器。测试了探测器的I-V特性,零偏下的光谱响应和器件的频率响应。观察了器件的反偏响应情况。获得的探测器在γ= 440 nm处加两伏反偏时的响应率为0．17 A/W,内量子效率最大可达64%。图7参6(严寒)
出处
《中国光学》
EI
CAS
2006年第6期54-54,共1页
Chinese Optics
