摘要
O484．1 2005032059 多晶碘化汞膜的PVD法制备及其光电特性=Preparation and photoelectronic．properties of polycrystalline HgI2 films by PVD[刊,中]／雷平水(上海大学材料科学与工程学院． 上海(201800)),史伟民…∥半导体光电．-2004,25 (6)．-493-495,498 用改进的热壁物理汽相沉积(HWPVD)装置制备出晶 体质量较好的多晶HgI2膜,研究了生长参数对沉积膜质 量的影响,对多晶HgI2膜用金相显微镜、XRD、红外光谱
出处
《中国光学》
CAS
2005年第3期61-63,共3页
Chinese Optics
