摘要
TN36 2005053772 n-GaN肖特基势垒紫外光探测器的电子辐照效应= Effects of electron irradiation on n-GaN Schottky barrier UV detector[刊,中]／刘畅(四川大学微电子学系,微电子 技术四川省重点实验室．四川,成都(610064)),袁菁…∥ 半导体光电．-2005,26(1)．-26-29 研究了n型Au／GaN肖特基势垒紫外光探测器的电 子辐照失效机理。从实验中观测到,随着电子辐照注量的 不断增加,Au／GaN间辐照诱生的界面态引起器件的击穿 电压明显减小,反向漏电流逐渐增大。辐照诱生的深能级 缺陷导致紫外光探测器对较长波长光的吸收,使得UV探 测器中可见光成分的背景噪声增加。同时,对辐照后的 GaN肖特基紫外光探测器进行了100℃以下的退火处理, 退火后,器件的电流-电压特性有所改善。图3参9(严寒)
出处
《中国光学》
CAS
2005年第5期77-77,共1页
Chinese Optics
