摘要
TN305．7 2005053954 光刻工艺中缺陷来源的分析=Analysis on defect sources in photolithographic process[刊,中]／邓涛(重庆光电技术 研究所．重庆(400060)),李平…∥半导体光电．-2005, 26(3)．-229-231 对半导体集成电路和器件制作过程中光刻工艺产生 的各种缺陷种类及来源进行了集中分析,提出了一些减少 或消除这些缺陷的办法和措施。图1(于晓光) TN305．7 2005053955 用完全非共振光驻波聚焦原子制作纳米结构分析=Anal-
出处
《中国光学》
CAS
2005年第5期99-100,共2页
Chinese Optics
