摘要
光探测与器件 TL816．5∥TN366 2004021294 电子轰击型PSD器件的研究与应用=Study and application of a electron bombing PSD device[刊,中]／富丽晨（长春理工大学光电子技术研究所．吉林,长春（130022））,李野…∥红外技术．—2003,25（2）．—51-53,59 介绍了新型半导体光电位敏器件（PSD）的独特优点,同时根据极微弱光探测的应用需求,提出了电子轰击型新概念器件EBPSD,研究了它的制作原理,并对已制出的器件进行了半导体增益测试。其结果表明,入射电子能量2 keV时增益大于10<sup>2</sup>；5keV时增益可达10<sup>3</sup>,证实了这种器件的优越性。还将（EBPSD）器件和微通道板相结合,充分利用微通道板的高增益特性,提出了电子增益高达10<sup>8</sup>的MCP-PSD管设计方案,并制出了样管,指出这种器件可用于低于10<sup>-7</sup>lx极微弱光图像的光子计数探测。图3参4（严寒）
出处
《中国光学》
CAS
2004年第2期65-78,共14页
Chinese Optics
