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光调制与器件

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摘要 TN761 2001042780GeSi/Si Mach-Zehnder干涉型调制器的研制=SeGe/SiMach-Zehnder interferometer modulator[刊,中]/李宝军,胡冬枝,秦捷(复旦大学应用表面物理国家重点实验室.上海(200433)),万建军,李国正,刘恩科(西安交通大学微电子工程系.陕西,西安(710049))//光电子·激光.-2000,11(1).-14-16基于GeSi合金的等离子体色散效应,研制了一种Mach-Zehnder干涉型调制器,通过对其损耗和调制特性的测试得到:调制器对1.3 μm光的插入损耗为6.5 dB。
出处 《中国光学》 EI CAS 2001年第4期78-78,共1页 Chinese Optics
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