半导体激光器

TN248.4 2001010188硅基键合激光器的研究进展=Research advances inlasers bonded on silicon substrates[刊,中]/韩伟华,余金中,王启明(中科院半导体研究所集成光电子学国家重点联合实验室.北京(100083))∥半导体光电.-2000,21(2).-77-79,84硅基的光电子集成以及光集成将满足未来信息传输处理的要求。目前制作硅基激光器的方法主要分为两类,异质结外延生长和异质材料键合。键合方法克服了异质结外延生长不可避免的晶格失配和材料热膨胀系数非共容性的缺点。