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对“四论注入光敏器件的物理基础”一文的商榷 被引量:1

Discussion on“fourth comment on physical elements for injection photodetector”
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摘要 利用受光PN 结伏安特性方程,分别对受光PN 结的光电流输出、注入电流输出和零电流输出三种情况进行了讨论,进一步对注入光敏器件的物理基础进行探讨,并对一些实验问题进行讨论。 Discussion is made on photocurrent output,injection current output and zero current output for photoreceiving PN junction by means of I - V equation of photoreceiving PN junction.Further survey is carried out on physical elements of the injection photodetector followed by description of some experiment subjects.
作者 石仲斌
出处 《半导体光电》 CAS CSCD 北大核心 1999年第6期441-445,共5页 Semiconductor Optoelectronics
关键词 光敏三极管 注入光敏器件 光电二极管 phototransistor injection photosensitive device photodiode
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引证文献1

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