光学薄膜参数、测试及设备

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摘要 O484.5 97031939HgCdTe阳极硫化膜分析=Analysis of HgCdTeanodic sulfide film[刊,中]/史衍丽,曾戈虹（昆明物理研究所.云南,昆明（650223））//红外技术.—1996,18（5）.-5-7采用含水硫化的方法对P型HgCdTe材料进行了表面钝化。XPS分析结果表明,Hg<sub>0.734</sub>Cd<sub>0.266</sub>Te表面形成了CdS薄膜,膜层里含有少量的Te和Hg,不含氧。图2参8（候丽伟）

出处《中国光学》 EI CAS 1997年第3期77-78,共2页 Chinese Optics

关键词红外技术外延薄膜分析结果表面钝化阳极硫化水硫化光学薄膜参数物理研究所电光聚合物

分类号 O484.41 [理学—固体物理]

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