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Infrared Optical Absorption Studieson Defects Productionin ArIon-irradiated Silicon
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《IMP & HIRFL Annual Report》
1997年第0期55-56,共2页
中国科学院近代物理研究所和兰州重离子研究装置年报（英文版）
基金
SupportedbytheNationalNaturalScienceFoundationofChina.
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分类号
O571 [理学—粒子物理与原子核物理]
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李炳生,张崇宏,杨义涛,周丽宏,张洪华.
Charge-sensitive deep level transient spectroscopy of helium-ion-irradiated silicon,as-irradiated and after thermal annealing[J]
.Chinese Physics B,2009,18(1):246-250.
2
光吸收与损耗[J]
.中国光学,1996(5):10-11.
IMP & HIRFL Annual Report
1997年 第0期
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