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尔必达量产50nm工艺2Gb Mobile RAM存储颗粒

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摘要 日本尔必达公司近日宣布,已经在其广岛晶圆厂开始批量生产50nm工艺2Gb Mobile RAM存储颗粒。超低功耗的Mobile RAM内存主要用在手机或掌上影音设备、移动互联网终端中。尔必达的50nm 2Gb Mobile RAM于去年年底开发完成,采用193nm浸润式光刻与铜互连技术制造。相比70nm产品,它的数据保持电流和工作电流都是前代的一半,在容量翻倍的情况下并未提高电源需求。
出处 《中国集成电路》 2009年第4期4-4,共1页 China lntegrated Circuit
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