半导体光学材料及制备

TN304 95063971高能离子注入硅形成导电埋层的光学表征[刊,中]/俞跃辉,邹世昌,关安民(中科院上海冶金研究所),周筑颖,赵国庆(复旦大学物理二系)//中国科学(A辑).—1994,24(6).—606在分析高能离子注入体系和自由载流子等离子体效应光学响应的特征基础上,通过计算机模拟红外反射谱,建立了深导电埋层的光学表征方法。