发光、荧光材料

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摘要 O482.31 95032051MOCVD的InGaAs/GaAs应变层量子阱的低温光致发光研究=Studies on low temperature photo-lumineseence spectra of InGaAs/GaAs stra-ined quantum wells by MOCVD[刊,中]/王小军,王启明,庄婉如,郑婉华(中科院半导体所集成光电子学国家重点联合实验室.北京(100083))。

出处《中国光学》 EI CAS 1995年第3期92-94,共3页 Chinese Optics

关键词多孔硅发光低温光致发光发光学应变层量子阱中科院发光材料集成光电子学跃迁几率能量传递激发光谱

分类号 O431.2 [机械工程—光学工程]

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