辐射与发光理论

O482.31 95010019化学氧化对多孔硅表面态和光致发光的影响=Theinfluence of chemical oxidation on surfacestate and photoluminescence of porous silicon[刊,中]/李经建,刁鹏,蔡生民(北京大学化学系),侯永田,王昕(北京大学物理系)//物理化学学报.—1994,10(8).—737—740采用新制备和经氧化后处理的多孔硅样品,在测定它们的傅里叶变换红外光谱和光致发光谱的基础上,发现了化学氧化对多孔硅光致发光强度有明显的增强效应。