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互补金属氧化物半导体焦平面阵列输入电路的1/f最佳化
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摘要
在光电探测系统中,互阻放大器的噪声特性对光伏探测器的增量电导率很敏感。本文指出,由于放大器产生的1/f噪声转角频率是加在探测器上的偏压的函数。在冷焦平面阵列内二极管的1/f噪声转角频率也是反偏压的函数,但是有最佳偏压,即不是OV。当必须使用具有大1/f噪声转角频率的互补金属氧化物半导体放大器时,此条件就变得很重要了。
作者
Robert James Martin
Wallian R. Herzog
边原
出处
《应用光学》
CAS
CSCD
1989年第4期30-34,共5页
Journal of Applied Optics
关键词
焦平面阵列
光伏探测器
光电探测系统
反向偏压
输入电路
跨导
互阻
红外探测器
反偏
选通
分类号
O439 [机械工程—光学工程]
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