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采用深扩散研制高电压大电流晶閘管

Study on High Voltage and large Current Thyristot by Deep Diffusion
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摘要 本文叙述了高电压大电流晶闸管几项主要参数的确定和采用深扩散技术研制电流容量为1000A、电压为2000V的晶闸管。 This paper describes a method of detemination of a few main parameters for high voltage and large current thyristor. The thyristor, has electric current 1000A, voltage 2000V has been studied by deep diffusion technique.
作者 李大钦
机构地区 广西大学物理系
出处 《广西大学学报(自然科学版)》 CAS CSCD 1989年第3期85-91,共7页 Journal of Guangxi University(Natural Science Edition)
关键词 PN结 基区宽度 少子寿命 PN conjuction base width minority lifetime
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参考文献1

  • 1科学出版社编.大功率硅可控整流元件及应用[M]科学出版社,1971.

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