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高稳定13~18GHz GaAs FET介质振荡器 被引量:1

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摘要 本文介绍一种Ku波段串联反馈式GaAsFET介质稳频振荡器(简称KuDRO)。该振荡器由一个Ku波段FET振荡电路及一个高Q、低耗的介质谐振器串联反馈电路组成。其性能指标:在13~18GHz频带内用不同尺寸的介质谐振器在一块MIC基片上分别制出5种点频率的高稳定振荡器,功率输出为10~20mW;室温频率稳定度达2×10^(-5);在-45℃~+70℃温度范围内频率温度系数达±2PPm/℃,功率温度系数为0.02dB/℃相位噪声达-75dBC/Hz;杂波抑制度小于-60dBC;体积为36×30×16mn^3;重量为35g。
作者 叶亲翔
出处 《航天电子对抗》 1989年第3期25-29,共5页 Aerospace Electronic Warfare
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同被引文献1

  • 1麦久翔,高瑞芳.微波介质谐振器陶瓷[J]宇航材料工艺,1985(03).

引证文献1

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