宽禁带Ⅱ-VI族材料生长及其对器件的影响

在过去的几年中,ZnSe材料的制备和特性不断得以改进。从采用MOCVD和MBE方法生长的ZnSe的现时状况可以看出,有效地控制材料质量和掺杂,便有希望获得p-n结。同时讨论了超晶格和多量子阱结构对注入器件,电子束泵浦激光器,Ⅲ-Ⅴ元件的Ⅱ-Ⅵ元件钝化和非线性光学器件的影响。