冲电气公司开发出在Si晶片上生长InP结晶的技术

冲电气公司在箱根召开的第四届MO-CVD(金属有机化合物气相沉积)国际会议上报导,该公司开发出Si晶片上稳定生长高质量InP结晶的技术。以前,由于InP和Si钓晶格常数有8％差异(GaAs和Si的晶格常数之差为4％).所以在Si晶片上直接生长高质量的InP结晶是一件非常困难的事情.为了解决这个问题:该公司实施如下两种手段用CVD法实现了结晶生长:①连接Si和InP的缓冲层,采用InP(20mm)/GaAs(20mm)二层结构;②将生长前的清洗温度。