在GaAs衬底上用MBE和MEE方法生长的ZnSe膜的对比研究

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摘要 1.引言ZnSe是一种直接觉带隙半导体,它在制备蓝色发光器件方面有潜在的应用。人们已经利用MBE和MOCVD方法生长出结构完整的ZnSe薄膜。最近的研究工作表明,可以在这种材料中实现P型转换。这种P型材料已经被用来制备p-n结,在低温下已经观察到来自该结的蓝色带边发射。本文研究了用常规分子束外延(MBE)和扩散加强外延(MEE)方法在GaAs衬底上生长的ZnSe薄膜.

作者孟立建

出处《液晶与显示》 CAS CSCD 1989年第6期25-30,共6页 Chinese Journal of Liquid Crystals and Displays

关键词 ZNSE GAAS衬底 MEE MBE 发光器件 MOCVD 原子层分子束外延结晶质量晶格畸变

分类号 TN141.9 [电子电信—物理电子学]

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1简讯[J].金融科技时代,2012(3):11-11.
2师庆华.DGaAs上生长纯ZnSe薄膜的光学特性[J].发光快报,1995,16(5):17-19.
3周哲.GaAs衬底上低温上生长ZnSe薄膜的特性[J].发光快报,1993,14(6):22-23.
4楚楚.侧滑＋QWERTY＋触控，梦回N97 mini 诺基亚C6-00[J].中文信息（数字通讯）,2010(16):46-48.
5李大磊.贴牌索尼液晶彩电无图像故障检修[J].家电维修（大众版）,2014,0(11):21-21.
6高晓强,王凯,邓闯,贺端威.Ge基GaAs薄膜和InAs量子点MBE生长研究[J].功能材料与器件学报,2013,19(2):54-58.
7王惟彪.基于Ⅲ族氮化物宽带隙半导体的微显示技术[J].光机电信息,2001(12):15-16.
8黄劲松,田文晶,安海岩,薛善华,陈佰军,候晶莹,刘式墉,沈家骢.聚合物蓝色发光器件的结构分析[J].半导体光电,1996,17(4):349-352. 被引量：1
9膜混合集成电路、MOS集成电路[J].电子科技文摘,2002,0(10):19-20.
10赵伟忠.海信TC2175L型彩电故障一则[J].家电检修技术（资料版）,2010(2):19-19.

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