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450℃下制备的多晶硅薄膜晶体管寻址全色液晶显示器

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摘要采用激光诱导硅结晶的方法,在最大生长温度为450℃的条件下制备了多晶硅薄膜晶体管,这种方法制备的器件具有较高的迁移率（50cm<sup>2</sup>/Vs）,低的阈值电压（2V）,低断路电流(10<sup>-12</sup>A)和高的可靠性。采用这种多晶硅薄膜晶体管寻址制备了3.

作者周华

出处《液晶与显示》 CAS CSCD 1989年第6期47-47,共1页 Chinese Journal of Liquid Crystals and Displays

关键词激光诱导阈值电压液晶显示器寻址迁移率硅薄膜

分类号 TN141.9 [电子电信—物理电子学]

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液晶与显示

1989年第6期

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