钨、钼与超大规模集成电路

钨、钼虽然在计算机外围设备中已有某些应用,例如碳化钨丝用于打印针等,但在超大规模集成电路(VLSI)中直接应用钨、钼或其硅化物,则还是近几年才开始研究。作为计算机核心的VLSI技术发展迅速,现时由64千位DRAM(动态随机存取存贮器)进入256千位和1兆位,并已开始向4兆位DRAM以上的兆位时代发展,而随着VLSI集成度的日益提高,器件日益微型化、线宽日益减小,因而对材料提出了更高的要求。在64千位DRAM超大规模集成电路中,以前均使用多晶硅作为栅极材料。