InP／GaAs异质键合界面的XPS研究

Investigation of bonded InP/GaAs interface by XPS

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摘要用直接键合技术在480℃实现了InP/GaAs的异质键合,用X射线光电子谱研究了样品的界面化学态。研究分析表明,InP/GaAs样品在480℃的键合过程中发生相互扩散(除P外),键合界面处形成了由InP、GaAsI、nAs和GaP构成的中间过渡层,过渡层厚度约为6nm。 The bonded InP/GaAs wafers prepared by direct wafer bonding at 480℃ have been investigated by X- ray photoelectron spectroscopy. The experimental results indicate that InP and GaAs diffused into each other except phosphorus,and an interlayer composed of InP, GaAs, InAs and GaP exists between GaAs and InP wafers.

作者谢生陈松岩毛陆虹郭维廉

机构地区天津大学电子信息工程学院厦门大学物理系

出处《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第4期532-534,共3页 Journal of Functional Materials

基金国家自然科学基金资助项目(60736035) 天津大学青年教师培养基金资助项目(TJU-YFF-08B64)

关键词晶片键合 X射线光电子谱磷化铟砷化镓 wafer bonding, XPS InP GaAs

分类号 O472.1 [理学—半导体物理]

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