摘要
该文以NT高分断能力刀型触头熔断器及NGT半导体器件保护用熔断器为主,通过与RTO及RSO、RS3熔断器的技术性能、材料特性、测量、试验等方面的对比,指出NT、NGT熔断器具有分断能力高、规格多、耗散功率低、电阻值误差小、重量轻、体积小等特点。还指出,随着电网容量的增大、保护要求的提高,低压熔断器的发展方向是:提高额定电压、电流等级,分断能力达200kA以上;缩小特性误差至±3.5%;降低耗散功率10%~30%;上下熔断器之间配合达到1.6:1要求;发展特殊系统保护用熔断器等。
出处
《电世界》
1998年第1期1-3,共3页
Electrical World