降低电阻率进一步实现钨金属化等比微缩

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摘要随着特征尺寸缩小到32nm以下,传统的脉冲成核层(PNL)将无法满足所需的电阻率性能要求。钨成核和CVD填充技术的发展使得ALD钨可以被扩展应用到2Xnm尺寸,而且仍然能满足所需的电阻率要求。

作者 Frank Huang Anand Chandrashekar Michal Danek

机构地区 Novellus Systems Inc.

出处《集成电路应用》 2009年第1期28-29,31,共3页 Application of IC

关键词低电阻率金属化钨尺寸缩小性能要求扩展应用填充技术 ALD

分类号 O614.613 [理学—无机化学] P618.13 [天文地球—矿床学]

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