单极CMOS,速度更快、更易制造

耶鲁大学的T．P．Ma教授提出了一种全n沟道的CMOS，它比现在的以电子和空穴为载流子的CMOS速度更快、更容易制造。T．P．Ma称它为单极CMOS，并在2008年10月由Semathech组织的先进栅叠层技术国际会议上做了首次介绍。