展望22nm技术节点
摘要
为了实现22nm技术节点，工程师必须在许多方面做出重大决定，例如：是否要从平面化的CMOS器件结构转变为多栅结构；是否要使用不同的沟道材料；以及是否要用铜插入来代替钨插入。
出处
《集成电路应用》
2009年第3期22-25,共4页
Application of IC
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1夏志良,刘晓彦,刘恩峰,韩汝琦.亚100nm多栅MOSFET的三维模拟[J].Journal of Semiconductors,2003,24(B05):140-143. 被引量：2
-
2李小明,韩伟华,张严波,陈燕坤,杨富华.纳米MOSFET的多栅结构和应变硅纳米线结构[J].微纳电子技术,2011,48(11):689-696. 被引量：1
-
3洪倩,陈新宇,郝西萍,陈继义,蒋幼泉,李拂晓.多栅GaAs MESFET开关[J].固体电子学研究与进展,2004,24(2):212-214. 被引量：1
-
4余志平,田立林.基于能带计算的纳米尺度MOS器件模拟[J].Journal of Semiconductors,2006,27(z1):248-251.
-
5陈伟华,杜磊,何亮.SiO_2介质材料辐射损伤测试结构设计[J].电子科技,2009,22(12):52-54.
