摘要
本项目属于超大规模集成电路基础科学与技术研究领域，主要研究了适用于系统芯片（SoC）的纳米尺度CMOS集成电路以及大微电子集成系统（SoG）新器件结构和童艺技术。本项目以科技源头创新为宗旨，以形成具有我国自主知识产权的集成电路核心技术为最终目标，在国际上率先提出了多种新型的集成电路器件结构和相关的制作技术，并从理论和实验两方面验证了所提出的思想的可行性和实用性。主要内容有：提出并在工艺上首次实现了可分离平面双栅的自对准技术并在实验和理论上研究了其在高速低功耗集成电路上的应用潜力；
出处
《应用科技》
CAS
2009年第4期73-73,共1页
Applied Science and Technology
