BN掺杂可望制得透明太阳电池

日本国家材料科学研究所（NIMS）用等离子增强CVD技术制备出高密度多晶BN，并同时进行了激光感生Si掺杂，使BN成为一种宽带隙Ⅲ—Ⅴ族半导体。而在此以前，对BN的掺杂很少成功，使BN成为被“忽略”的半导体材料。所制备的这种半导电致密相BN是当今最“坚固”的半导体之一，它具有独特的耐熔性和可见光透明性。通过在Si上沉积BN，该研究小组制出了一种BN／Si异质二极管太阳电池。其转换效率2％，有效带隙为5．5eV。