摘要
在量子阱半导体激光器结构中采用优化超晶格缓冲层来掩埋衬底缺陷，获得了性能优良的激光器。对超晶格缓冲层所具有的“量子阱陷阱效应”进行了理论分析。
The superlattice buffer layer (SLB) is studied.By using optimum SLB structure in the quantum well(QW)semiconductor lasers,laser devices with high performances are obtained.QW trap effect of the superlattice buffer layer is analyzed theoretically.
出处
《半导体光电》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1998年第3期202-204,共3页
Semiconductor Optoelectronics
基金
山东省科委资助
关键词
量子阱
超晶格
缓冲层
半导体激光器
Quantum Well,Superlattice,Buffer Layer,Semiconductor Laser
