高功率密度30V功率晶体管

30V表面贴装功率晶体管采用STripFET VI DeepGATE制造工艺，大大提高单元密度，新产品具有出色的导通电阻。首批产品包括STL150N3LLH6和STD150N3LLH6两款产品。STL150N3LLH6采用5mm×6mm PowerFLAT封装，单位面积导通电阻达到极低；STD150N3LLH6采用DPAK封装，导通电阻为2．4mQ。