期刊文献⁺

任意字段

题名或关键词

题名

关键词

文摘

作者

第一作者

机构

刊名

分类号

参考文献

作者简介

基金资助

栏目信息

功率半导体器件的新发展

下载PDF

导出

摘要一、ＭＯＳ型功率半导体器件改变了功率变换技术的面貌一年一度的国际功率半导体讨论会（ＩＳＰＳＤ’９７）今年在德国召开。过去功率半导体器件的国际会议都包含在半导体器件（主要是集成电路，如ＩＥＤＭ会议）或应用技术（如ＰＥＳＣ，ＩＰＥＣ，ＩＡＳ）的会议中，而...

作者张为佐

机构地区美国国际整流器(IR)公司

出处《电子产品世界》 1998年第1期76-79,70,共5页 Electronic Engineering & Product World

关键词功率半导体器件 MOS型功率变换

分类号 TN303 [电子电信—物理电子学] TN389 [电子电信—物理电子学]

引文网络
相关文献

1陈星弼.MOS型功率器件[J].电子学报,1990,18(5):97-105. 被引量：14
2袁寿财,王晓宝,刘欣荣.850V／18A、1200V／8A　IGBT研制[J].半导体技术,1994,10(5):47-49.
3殷万君.基于MOS工艺的压控振荡器的设计[J].电子世界,2016,0(24):136-136.
4Jean-Marie PETER,游小杰,郭文杰,孙小琳.从“功率电子”到“功率系统”:现状和未来趋势[J].电力电子,2006,4(3):3-10.
5马雪芬.基于移相控制全桥式功率变换的高频开关电源设计[J].信息系统工程,2014,0(11):99-100. 被引量：1

电子产品世界

1998年第1期

相关作者

内容加载中请稍等...

相关机构

内容加载中请稍等...

相关主题

内容加载中请稍等...

浏览历史

内容加载中请稍等...

;

使用帮助返回顶部