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SiC_w在Al_2O_3-C复合耐火材料中的原位生长 被引量:11

IN-SITU GROWTH OF SiC w IN Al 2O 3-C REFRACTORY MATERIALS
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摘要 通过引入金属Si和活性C对SiC晶须在Al2O3-C复合耐火材料中的原位生长进行了实验研究,利用SEM结合电子探针(EPMA)研究了SiCw在Al2O3-C复合耐火材料中的原位生长机理,提出了液-固生长机理,并讨论了其热力学和动力学条件. In_situ growth of SiC w was formed by adding some silicon and active carbon in Al 2O 3-C refractory materials. The growth mechanism was studied by means of SEM and EPMA. A new growth mechanism, L-S(liquid-solid) mechanism, is proposed. The thermodynamic and dynamic conditions are also discussed in this paper.
出处 《硅酸盐学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1998年第1期124-128,共5页 Journal of The Chinese Ceramic Society
基金 冶金工业部基础性研究项目
关键词 铝碳质 耐火材料 碳化硅晶须 原位生长 强度 alumina-carbon refractory, silicon carbide whiskers, in_situ growth mechanism
  • 相关文献

参考文献3

  • 1潘金生,陈永华.晶须及其应用[J].复合材料学报,1995,12(4):1-7. 被引量:48
  • 2王天明,东北大学学报,1997年,18卷,1期,45页
  • 3张文杰,碳复合耐火材料,1990年,264页

共引文献47

同被引文献78

引证文献11

二级引证文献66

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