摘要
应用基于密度泛函理论(DFT)的第一性原理平面波超软赝势方法计算了CrSi2在应力作用下的电子结构,分析和比较了体系的能带结构、态密度及应力对CrSi2体系电子结构的影响.计算结果表明CrSi2在单轴向应力的作用下,随着压力的逐渐增大,导带向高能方向移动,带隙Eg明显展宽;随着负压力的逐渐增大,带隙缓慢减小,当沿a轴的负压力达到约-18.5GPa时,CrSi2将会由间接跃迁型半导体转变为直接跃迁型半导体,直接带隙宽度Eg=0.32eV.
基金
国家自然科学基金(批准号:60566001,60766002)
教育部博士点专项科研基金(编号:20050657003)
贵州省优秀科技教育人才省长专项基金
贵州省优秀青年科技人才培养计划项目(编号:黔科合人20050528)
教育部留学回国科研基金(编号:教外司(2005)383)
贵州省留学人员科技项目(编号:黔人项目(2004)03)
贵州省委组织部高层次人才科研资助项目
