先进DRAM驱动高深宽比刻蚀的发展
摘要
DRAM器件制造商通过缩小设计规则、芯片尺寸来提高存储器性能和密度的方法，正面临着众多挑战。增大电容面积，使用更高介电常数的材料，以及减薄介电材料厚度等方法都能够继续延续电容的形式和功能。
出处
《集成电路应用》
2009年第5期29-32,共4页
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