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明场缺陷检测机台的发展及其在32/45nm技术中的应用
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摘要
随着半导体技术的飞速发展,晶圆制造已经进入45nm时代,32nm技术已经开始研发和应用。与此同时,光刻技术(Lithography)也由水银弧光灯(HgArc Lamp)发展到短波长深紫外激光(193nm)。这样对缺陷检测设备提出更高要求。图1显示了光刻技术最近20年的发展变化趋势以及缺陷检测机台相对应的变化。
作者
雒晓军
机构地区
应用材料中国公司
出处
《集成电路应用》
2009年第5期47-48,共2页
Application of IC
关键词
半导体技术
缺陷检测
应用
机台
光刻技术
深紫外激光
晶圆制造
检测设备
分类号
TN3 [电子电信—物理电子学]
TN407 [电子电信—微电子学与固体电子学]
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被引量:3
集成电路应用
2009年 第5期
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