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单电子晶体管中低频散粒噪声的特性分析(英文)

ANALYSIS OF CHARACTERISTICS OF FINITE_FREQUENCY SHOT NOISE IN A SINGLE_ELECTRONIC TRANSISTOR
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摘要 本文中,我们将双结系统的散粒噪声理论应用于单电子晶体管中,并准确地推导出两态情况下单电子晶体管噪声谱的解析表达式.进而对单电子晶体管中引起散粒噪声的因素作了简要的讨论. By applying the theory of shot noise S(ω) in a double_tunneling_junction system to the single_electronic transister (SET), derived in this paper is an exact analytical expression of the shot noise spectrum at two states, by which the factors casued noises in a SET is investigated.
出处 《华南理工大学学报(自然科学版)》 EI CAS CSCD 北大核心 1998年第3期73-78,共6页 Journal of South China University of Technology(Natural Science Edition)
基金 国家自然科学基金
关键词 散粒噪声 单电子晶体管 隧穿率 噪声谱 shot noise SET tunneling rate noise spectrum master equation
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