基于浅槽隔离的双轴应变硅CMOS制造工艺研究

应变硅材料、结构、器件是探索后硅CMOS时代新型超高速低功耗集成电路最有发展前号的技术之一，本文对基于浅槽隔离的手段的双轴应变硅材料CMOS器件制作工艺进行了分析和探讨。