台积电欲跳过40nm工艺直奔28nm

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摘要在公布最新季度财报的同时，台积电也第一次公开承认，其在去年年底投入的40nm制造工艺碰到了一些麻烦。台积电CEO蔡力行解释：“40nm工艺的良品率是有些问题。对制造商而言40nm是一项非常困难的技术。（不过）我们已经找到了问题的根源，并且已经或正在解决。”结合此前消息，台积电40nm工艺可能无法很好地控制漏电率，

出处《微型计算机》 2009年第16期14-14,共1页 MicroComputer

关键词制造工艺台积电良品率 CEO 制造商漏电

分类号 TN305 [电子电信—物理电子学] TN41 [电子电信—微电子学与固体电子学]

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