期刊文献+

半导体瞬态问题计算方法的新进展 被引量:8

Recent Progress in Numerical Methods for Semiconductor Devices
下载PDF
导出
摘要 综述三维热传导型半导体瞬态问题计算方法的新进展.数学模型是一类由四个方程组成的非线性耦合对流-扩散偏微分方程组的初边值问题.重点研究特征分数步差分方法,修正迎风分数步差分方法,特征交替方向变网格有限元方法,区域分裂及并行计算. Numerical methods for transient behavior of semiconductor devices are studied. Mathematical model of a three-dimensional semiconductor device with heat conduction is described by a initial boundary value problem with four quasilinear partial differential equations. Finite difference fractional step method, characteristic finite element alternating direction method, domain decomposition method and theoretical analysis are focused on.
作者 袁益让
出处 《计算物理》 EI CSCD 北大核心 2009年第3期317-324,共8页 Chinese Journal of Computational Physics
基金 国家重点基础研究发展规划(G19990328) 国家攻关(2005020069) 国家自然科学基金(1077112410372052) 教育部博士点基金(20030422047)资助项目
关键词 半导体器件 特征和迎风差分 分数步法 交替方向和区域分裂 数值分析 semiconductor device characteristic and upwind finite difference fractional step method alternating-direction and domain decomposition numerical analysis
  • 相关文献

参考文献5

二级参考文献22

共引文献35

同被引文献16

引证文献8

二级引证文献8

相关作者

内容加载中请稍等...

相关机构

内容加载中请稍等...

相关主题

内容加载中请稍等...

浏览历史

内容加载中请稍等...
;
使用帮助 返回顶部