期刊文献+

IR2130在高功率因数整流器中的应用

Application of IR2130 in Higher Power Factor Rectifier
下载PDF
导出
摘要 介绍了IR2130功率驱动芯片的特点和工作原理,设计了采用该芯片驱动的三相高功率因数整流器,并采用了新的过流保护电路。实验证明,采用IR2130驱动的整流器具有结构简单、驱动效果好、稳定可靠的特点,功率因数达到了0.992。 The characteristics and work principles of IR2130 power MOSFET driver are introduced in this paper. Three - phase higher power factor rectifier,which adopted the circuit of new over current protecting,is designed. The testing results show that rectifier using IR2130 for gate driver is simple, reliable and stable, and its power factor can achieve 0.992.
出处 《机械与电子》 2009年第5期78-80,共3页 Machinery & Electronics
关键词 功率MOSFET 栅极驱动 IR2130 power MOSFET gate driver IR2130
  • 相关文献

参考文献4

二级参考文献6

  • 1.[Z].北京闻亭科技发展有限公司,1998..
  • 2王季秩 曲家骐.执行电动机[M].北京:机械工业出版社,1999..
  • 3史乃.电机学[M].北京:机械工业出版社,1998..
  • 4IR2130/IR2132(J)(S) Data Sheet,NO.PD60019-N.
  • 5Chung D W,IEEE Trans Ind Appl,1998年,34卷,2期,374页
  • 6周炼,谢运祥.基于同伦算法的逆变电源消谐模型研究[J].电工技术杂志,2000,22(7):4-6. 被引量:5

共引文献76

相关作者

内容加载中请稍等...

相关机构

内容加载中请稍等...

相关主题

内容加载中请稍等...

浏览历史

内容加载中请稍等...
;
使用帮助 返回顶部