20nm之后将采取三维层叠技术

在今后的2年-3年内，NAND闪存的集成度仍将保持目前的发展速度（见图B．1）。具体来说，到2011年-2012年，通过采用2Xnrn的制造工艺与3位／单元4位／单元的多值技术，NAND闪存很有可能实现128Gb的容量。