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低导通电阻20V MicroFET MOSFET
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摘要
FDM A6023P Z T是采用紧凑、薄型封装的双P沟道MOSFET,能够满足便携设计的严格要求,采用延长电池寿命的技术,实现更薄、更小的应用。它具有出色的热阻,能提供优异的功率耗散,并可减少传导损耗。
出处
《今日电子》
2009年第6期65-65,共1页
Electronic Products
关键词
P沟道MOSFET
低导通电阻
电池寿命
功率耗散
传导损耗
FDM
封装
分类号
TN386 [电子电信—物理电子学]
TN624 [电子电信—电路与系统]
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今日电子
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