期刊文献⁺

任意字段

题名或关键词

题名

关键词

文摘

作者

第一作者

机构

刊名

分类号

参考文献

作者简介

基金资助

栏目信息

低导通电阻20V MicroFET MOSFET

下载PDF

导出

摘要 FDM A6023P Z T是采用紧凑、薄型封装的双P沟道MOSFET，能够满足便携设计的严格要求，采用延长电池寿命的技术，实现更薄、更小的应用。它具有出色的热阻，能提供优异的功率耗散，并可减少传导损耗。

出处《今日电子》 2009年第6期65-65,共1页 Electronic Products

关键词 P沟道MOSFET 低导通电阻电池寿命功率耗散传导损耗 FDM 封装

分类号 TN386 [电子电信—物理电子学] TN624 [电子电信—电路与系统]

引文网络
相关文献

1元器件与组件[J].今日电子,2007(8):117-118.
2STD11NM60N：MOSFET[J].世界电子元器件,2007(1):78-78.
3Si7137DP：P通道TrenchFET MOSFET[J].世界电子元器件,2009(5):41-41.
4IR推出可靠的超高速1200 V IGBT可显著降低开关及传导损耗,提升整体系统效率[J].电子设计工程,2011,19(19):161-161.
5季建平.IR推出20 V至30 V的全新StrongIRFET系列[J].半导体信息,2014(2):6-7.
6飞兆60VMOSFET的首款器件FDMS86500L面市[J].中国集成电路,2011,20(6):9-9.
7Vishay发布新款快恢复二极管，减少传导损耗并提高效率[J].集成电路通讯,2015,0(3):15-15.
8Peter James Miller.J/K方法:选择最佳MOSFET的技巧[J].电子与电脑,2011(4):64-67.
9David Morrison,王正华.500V功率MOSFET[J].今日电子,2009(11):66-66.
10测量并抑制同步降压型转换器中的Cdv/dt感应导通[J].今日电子,2004(9):48-49.

今日电子

2009年第6期

相关作者

内容加载中请稍等...

相关机构

内容加载中请稍等...

相关主题

内容加载中请稍等...

浏览历史

内容加载中请稍等...

;

使用帮助返回顶部