运算放大器可实现带宽增倍与噪声减半

导出

摘要场效应晶体管简称FET，其主要利用场效应原理工作。场效应即改变外加垂直于半导体表面上电场的方向或大小，以控制半导体导电层（沟道）中的多数载流子的密度或类型。与双极型晶体管相比，FET的特点是输入阻抗高、噪声小、极限频率高、功耗小、温度性能好、抗辐照能力强、多功能和制造工艺简单等。FET已广泛用于各种放大电路、数字电路和微波电路等，

作者刘洋

出处《电子设计技术 EDN CHINA》 2009年第3期20-20,共1页 EDN CHINA

关键词运算放大器噪声场效应晶体管半导体表面带宽双极型晶体管多数载流子 FET

分类号 TN722.77 [电子电信—电路与系统] TB53 [理学—声学]

引文网络
相关文献

1产品资讯[J].电源技术应用,2015,18(8).
2武建国.贴片场效应晶体管工作原理及检测(上)[J].家电检修技术,2011(11):52-53.
3徐维杰,刘录.场效应晶体管在低温下的实验研究[J].黑龙江大学自然科学学报,1993,10(1):68-72.
4成庆信.贴片元件的识别与检测（四）[J].家电维修（大众版）,2014(5):46-47.
5白华斌.LED显示墙技术与市场分析[J].中国多媒体通信,2010(12):30-31.
6孙志诚.现代示波器中示波管频带宽度的研究[J].内蒙古工业大学学报（自然科学版）,2004,23(1):45-49.
7陈斌,黄赞能,李磊.短波通信多径效应分析[J].舰船电子工程,2007,27(6):104-105. 被引量：10
8李蔚,张志刚,梁仁荣,何洋,王柳笛,朱钧.Storage Characteristics of Nano-Crystal Si Devices Using Different Measurements for MOS Capacitors[J].Journal of Semiconductors,2007,28(8):1169-1172.
9陈钟谋.新型热离子光电探测器[J].电子学报,1996,24(2):109-111. 被引量：1
10陈建业.OrCAD/PSPICE在电力电子电路计算机辅助设计中的应用(Ⅲ)[J].电源世界,2001(8):52-57.

电子设计技术 EDN CHINA

2009年第3期

浏览历史

内容加载中请稍等...

运算放大器可实现带宽增倍与噪声减半

相关作者

相关机构

相关主题

浏览历史