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磷掺杂对单壁碳纳米管电子结构的影响

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摘要 用基于密度泛函理论的第一性原理对掺P的单壁碳纳米管(SWCNT)进行以下方面的计算:几何形状结构和电子能带结构,杂质的形成能、总能量、态密度和能带结构.得出在不同管径的P掺杂SWCNT中,杂质的形成能随着管径的增大而增大,相同管径的SWCNT的总能量随着掺杂浓度的增大而减小,不同位置杂质P和它附近的C所形成的键角不同,进一步得到不同位置杂质产生的杂质能级的位置也不同,这可能由C—P—C键角的大小决定.从结果中还得到P原子以替位式掺杂形式掺入到碳纳米管中是可行的,而且掺P的SWCNT导电呈现出N型.
作者 陈阿青 邵庆益 林志成
机构地区 华南师范大学物理与电信工程学院
出处 《中国科学（G辑）》 CSCD 北大核心 2009年第5期681-687,共7页
基金 福建省自然科学基金计划资助项目(编号:A0220001)
关键词 单壁碳纳米管 P掺杂 第一性原理计算 形成能 态密度
分类号 O481 [理学—固体物理]
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共引文献7

中国科学（G辑）
2009年 第5期

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