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基于不同放大电路结构及元件参数关系的分析方法

Connection Analysis Method Based on Circuit Structure and Parameter Relationship in Different Amplifiers
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摘要 提出了晶体管(BJT)和场效应管(FET)放大电路的关联分析法,用表格形式结出这两种放大器元件及参数之间的对仍关系,由此获得一条结论以及两条推论,并通过求解例题说明了方法的正确性和可行性。 The connection analysis method of analyzing BJT and FET amplifiersis presented. At the same time, the duality relationship of devices between thesetwo amplifiers is given in a table and one theorem and two inferences are obtained.Also the correctness and feasibility of this method are tested with a number of examples analyzed in this paper.
作者 成立
出处 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 1998年第2期152-158,共7页 Research & Progress of SSE
关键词 晶体管 场效应管 交流模型 放大电路 电压增益 Binary Junction Transistor Field Effect Transistor AC Model Amplifier Voltage Gain
  • 相关文献

参考文献5

  • 1王远,模拟电子技术,1996年
  • 2陈惠开,现代网络分析,1992年
  • 3康华光,电子技术基础.模拟部分(第3版),1988年
  • 4团体著者,模拟电子技术基础简明教程,1985年
  • 5康华光,电子技术基础.上(第2版),1982年

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